IRFB4110PBF vs IPP022N12NM6AKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4110PBF tarafından Infineon ve IPP022N12NM6AKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFB4110PBF | IPP022N12NM6AKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $1,55 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | 395 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | TO-220AB (through-hole) | PG-TO220-3-1 (TO-220 through-hole) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 29 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 203 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 2.2 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |