IRFB4110PBF vs IRF150P220AKMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4110PBF بواسطة Infineon و IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFB4110PBF | IRF150P220AKMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $1.55 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | TO-247-3 (PG-TO247-3) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | StrongIRFET |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free suffix) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRF150P220AKMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 203 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 556 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Terminal Finish | — | Tin (Sn) |
| JESD-609 Code | — | e3 |