IRFB4110PBF vs IRF150P220AKMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور IRF150P220AKMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFB4110PBF IRF150P220AKMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $1.55 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3)
Technology HEXFET (planar DMOS) StrongIRFET
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRF150P220AKMA1
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں