IRFB4310PBF vs IRLB4030PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4310PBF بواسطة Infineon و IRLB4030PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFB4310PBF | IRLB4030PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (StrongIRFET family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7 mOhm | 4.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 170 nC | 87 nC |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 370 W |
| Logic Level Drive | — | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) |
| Qualification | — | JEDEC |