IRFB4310PBF vs IRLB4030PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4310PBF par Infineon et IRLB4030PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4310PBF IRLB4030PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $3,10
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 4.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 87 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB
Type de montage Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

Fiches techniques et ressources

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