IRFB4310PBF vs IRLB4030PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4310PBF بذریعہ Infineon اور IRLB4030PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4310PBF | IRLB4030PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (StrongIRFET family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7 mOhm | 4.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 170 nC | 87 nC |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (Pb-free PBF suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 370 W |
| Logic Level Drive | — | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) |
| Qualification | — | JEDEC |