IRFB4310PBF vs IRLB4030PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4310PBF por Infineon y IRLB4030PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4310PBF IRLB4030PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,95 $3,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (StrongIRFET family)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm 4.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 87 nC
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización