IRFB4410PBF vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB4410PBF بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB4410PBF IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 88 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ 100C [DATA_NEEDED: Id @ 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
RDS(on) max @ VGS=10V 10 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) 200 W (Tc) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (Tj) —
العلبة TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated —
مستوى MSL 1 (unlimited) N/A (through-hole)
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Series HEXFET HEXFET
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر