IRFB4410PBF vs IRFB3207ZPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFB4410PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB3207ZPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFB4410PBF IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET TO-220AB | Infineon

IRFB4410PBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFB4410PBF IRFB3207ZPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 88 A (Tc) —
Continuous Drain Current (Id) @ 100C [DATA_NEEDED: Id @ 100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: Idm pulse] —
Gate-to-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
RDS(on) max @ VGS=10V 10 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (Pd) 200 W (Tc) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (Tj) —
প্যাকেজ TO-220AB (through-hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rating Single-pulse avalanche rated —
MSL লেভেল 1 (unlimited) N/A (through-hole)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Series HEXFET HEXFET
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট