IRFB7545PBF vs IRFB3207ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB7545PBF بواسطة Infineon و IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB7545PBF IRFB3207ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRFB7545PBF IRFB3207ZPBF
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55 C to +175 C
العلبة TO-220AB (Through-Hole) TO-220AB (3-lead through-hole)
نوع التركيب Through Hole (THT) Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) Yes (PBF suffix = lead-free)
مستوى MSL N/A (Through-Hole) N/A (through-hole)
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر