IRFB7545PBF vs IRFB3207ZPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB7545PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3207ZPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB7545PBF | IRFB3207ZPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | IRFB7545PBF | IRFB3207ZPBF |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| پیکیج | TO-220AB (Through-Hole) | TO-220AB (3-lead through-hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole (THT) | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| MSL لیول | N/A (Through-Hole) | N/A (through-hole) |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 120 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 170 A |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (improved Z-variant ruggedness) |