IRFH7084TRPBF vs IRFH8318TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH7084TRPBF بواسطة Infineon و IRFH8318TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH7084TRPBF IRFH8318TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) —
العلبة 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 41 nC
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر