IRFH7084TRPBF vs STL140N4F7AG مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH7084TRPBF بواسطة Infineon و STL140N4F7AG بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

STMicroelectronics
STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH7084TRPBF STL140N4F7AG
العلامة التجارية Infineon STMicroelectronics
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
العلبة 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PowerFLAT 5x6
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant —
خالٍ من الهالوجين Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 140 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 3.2 mOhm @ VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (min)
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4500 pF
Output Capacitance (Coss) — 800 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 150 pF
Power Dissipation (PD) — 150 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS Compliant — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر