IRFH7084TRPBF vs STL140N4F7AG Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH7084TRPBF tarafından Infineon ve STL140N4F7AG tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

STMicroelectronics
STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH7084TRPBF STL140N4F7AG
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Paket 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PowerFLAT 5x6
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant —
Klorürsüz Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 140 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 3.2 mOhm @ VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (min)
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4500 pF
Output Capacitance (Coss) — 800 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 150 pF
Power Dissipation (PD) — 150 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS Compliant — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin