IRFH7084TRPBF vs STL140N4F7AG Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFH7084TRPBF disebabkan oleh Infineon dan STL140N4F7AG disebabkan oleh STMicroelectronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

STMicroelectronics
STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFH7084TRPBF STL140N4F7AG
Merek Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
Kemasan 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PowerFLAT 5x6
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Aras MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Boson Bebas Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 140 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 3.2 mOhm @ VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (min)
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4500 pF
Output Capacitance (Coss) — 800 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 150 pF
Power Dissipation (PD) — 150 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS Compliant — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga