IRFH7084TRPBF vs STL140N4F7AG तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH7084TRPBF द्वारा Infineon और STL140N4F7AG द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ सक्रिय
STMicroelectronics
STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFH7084TRPBF STL140N4F7AG
ब्रांड Infineon STMicroelectronics
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +175°C
पैकेज 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PowerFLAT 5x6
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant —
हैलोजन फ्री Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 140 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 3.2 mOhm @ VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (min)
Total Gate Charge (Qg) — 60 nC
Input Capacitance (Ciss) — 4500 pF
Output Capacitance (Coss) — 800 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 150 pF
Power Dissipation (PD) — 150 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS Compliant — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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