IRFH8201TRPBF vs IRFH5020TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH8201TRPBF بواسطة Infineon و IRFH5020TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH8201TRPBF IRFH5020TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A 63 A
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55 °C to +150 °C (TJ max)
العلبة SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per industry standard for PQFN-8)
حالة RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر