IRFH8201TRPBF vs IRFH5020TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH8201TRPBF tarafından Infineon ve IRFH5020TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH8201TRPBF IRFH5020TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A 63 A
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55 °C to +150 °C (TJ max)
Paket SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per industry standard for PQFN-8)
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin