IRFH8201TRPBF vs IRFH5020TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH8201TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5020TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH8201TRPBF IRFH5020TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A 63 A
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm 55 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +150 °C (TJ max)
پیکیج SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per industry standard for PQFN-8)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Family — HEXFET Power MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 5.1 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Charge (Qg) typ — 11 nC
Power Dissipation (TA=25°C) — 3.6 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 8.3 W
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) — 0.8 °C/W
Package Type — 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification Standard — JEDEC (Normal level)
Gate Drive Optimization — 10 V VGS
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free suffix PBF)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں