IRFML8244TRPBF vs IRLTS2242TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFML8244TRPBF بواسطة Infineon و IRLTS2242TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFML8244TRPBF IRLTS2242TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
العلبة SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) TSOP-6 (Micro 6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر