IRFP250MPBF vs IRFP250N مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP250MPBF بواسطة Infineon و IRFP250N بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFP250MPBF IRFP250N
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP250MPBF —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة / الحالة TO-247AC (3-pin + tab) —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الدبابيس 3 —
Avalanche Rated Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 214 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
العلبة — TO-247AC (through-hole)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (TJ)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Switching Frequency Optimization — Optimized for applications below 100 kHz
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Planar Cell Structure — Yes (wide SOA)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر