IRFP250MPBF vs IRFP250N مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFP250MPBF توسط Infineon و IRFP250N توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFP250MPBF IRFP250N
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFP250MPBF —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 4 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 214 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی / کیس TO-247AC (3-pin + tab) —
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پین‌ها 3 —
Avalanche Rated Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 (unlimited) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 214 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
بسته‌بندی — TO-247AC (through-hole)
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C (TJ)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Switching Frequency Optimization — Optimized for applications below 100 kHz
Qualification Standard — JEDEC
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Planar Cell Structure — Yes (wide SOA)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت