IRFR024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR024NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR024NTRPBF | IRFR3710ZTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Series | HEXFET Power MOSFET (5th generation) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 17 A (at TC = 25 C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Typical Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 45 W (at TC = 25 C) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free / PbF terminations) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | — | 42 A |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 69 nC |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | 150 mJ |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| حالة RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |