IRFR1205TRPBF vs IRFR3607TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon و IRFR3607TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR1205TRPBF | IRFR3607TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | 4 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | 56 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 56 A |
| Calculated Die Drain Current | — | 80 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 140 W |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) |
| Avalanche SOA | — | Fully characterized |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) |