IRFR1205TRPBF vs IRFR3607TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR1205TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3607TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR1205TRPBF IRFR3607TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max 4 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC 56 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں