IRFR1205TRPBF vs IRFR3607TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR1205TRPBF tarafından Infineon ve IRFR3607TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR1205TRPBF | IRFR3607TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | 4 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | 56 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 56 A |
| Calculated Die Drain Current | — | 80 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 140 W |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) |
| Avalanche SOA | — | Fully characterized |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) |