IRFR220NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR220NTRLPBF | IRFR4620TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.800 ohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | Low (per datasheet - HEXFET design) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 43 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 (Unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Technology Family | HEXFET, Planar, Generation 3 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFR4620TRLPBF |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 24 A at Tc |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 78 mOhm max at VGS=10V |
| Gate Charge (Qg) | — | 25 nC typical |
| Power Dissipation (PD) | — | 144 W at Tc |
| Technology | — | IR MOSFET |
| العلبة / الحالة | — | TO-252AA (DPAK) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Lead Free | — | Yes |