IRFR220NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR220NTRLPBF | IRFR4620TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.800 ohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | Low (per datasheet - HEXFET design) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 43 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (Unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Technology Family | HEXFET, Planar, Generation 3 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFR4620TRLPBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 24 A at Tc |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 78 mOhm max at VGS=10V |
| Gate Charge (Qg) | — | 25 nC typical |
| Power Dissipation (PD) | — | 144 W at Tc |
| Technology | — | IR MOSFET |
| पैकेज / केस | — | TO-252AA (DPAK) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead Free | — | Yes |