IRFR220NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NTRLPBF tarafından Infineon ve IRFR4620TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Paket TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Technology — IR MOSFET
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin