IRFR2405TRLPBF vs IRFR2405TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) —
العلبة TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
مستوى MSL — 1
حالة RoHS — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
خالٍ من الهالوجين — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر