IRFR2405TRLPBF vs IRFR2405TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR2405TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
ہیلوجن فری — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں