IRFR3411TRPBF vs IRFR220NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3411TRPBF بواسطة Infineon و IRFR220NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR3411TRPBF IRFR220NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC (typical per Mouser listing)
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
مستوى MSL — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر