IRFR3411TRPBF vs IRFR220NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3411TRPBF tarafından Infineon ve IRFR220NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3411TRPBF IRFR220NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC (typical per Mouser listing)
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +150°C
MSL Seviyesi — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin