IRFR3411TRPBF vs IRFR220NTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3411TRPBF מאת Infineon ו IRFR220NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR3411TRPBF IRFR220NTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) N-Channel MOSFET
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — 600 milliohm
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC (typical per Mouser listing)
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 43 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55°C to +150°C
רמת MSL — 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (fully characterized)
Lead-Free — Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר