IRFR5505TRPBF vs IRFR6215TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5505TRPBF بواسطة Infineon و IRFR6215TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR5505TRPBF IRFR6215TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
العلبة TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر