IRFR9120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR5305TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9120NTRLPBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (Tj) | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |