IRFR9120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR9120NTRLPBF توسط Infineon و IRFR5305TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR9120NTRLPBF IRFR5305TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (Tj) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت