IRFR9120NTRLPBF vs IRFR5305TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9120NTRLPBF द्वारा Infineon और IRFR5305TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR9120NTRLPBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -6.6 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 480 mOhm max @ VGS = -10 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) | 40 W (Tc) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | IR MOSFET (planar) | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |