IRFS3306TRLPBF vs IRFS3107TRL7PP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS3306TRLPBF بواسطة Infineon و IRFS3107TRL7PP بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFS3306TRLPBF IRFS3107TRL7PP
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
العلبة D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) IR HEXFET (Planar DMOS)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Lead-Free — Yes
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر