IRFS3306TRLPBF vs IRFS3107TRL7PP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3306TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFS3107TRL7PP بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3306TRLPBF IRFS3107TRL7PP
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) IR HEXFET (Planar DMOS)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
پلسڈ ڈرین کرنٹ — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Lead-Free — Yes
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں