IRFS3306TRLPBF vs IRFS3107TRL7PP مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3306TRLPBF توسط Infineon و IRFS3107TRL7PP توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS3306TRLPBF IRFS3107TRL7PP
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) IR HEXFET (Planar DMOS)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Lead-Free — Yes
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت