IRFS3306TRLPBF vs IRFS3107TRL7PP Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFS3306TRLPBF tarafından Infineon ve IRFS3107TRL7PP tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFS3306TRLPBF IRFS3107TRL7PP
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ 3 mOhm (Infineon) / 2.6 mOhm (Mouser)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (junction) -55C to +175C (junction)
Paket D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK-7 (TO-263CB, 6 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) IR HEXFET (Planar DMOS)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 75 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 240 A (DigiKey) / 195 A (per package datasheet snippet)
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
Gate Charge (Qg) Typical — 160 nC
Maximum Power Dissition @ Tc=25C — 370 W
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin