IRFS4321TRLPBF vs IRFS7440TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS4321TRLPBF بواسطة Infineon و IRFS7440TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFS4321TRLPBF IRFS7440TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 85 A 120 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V 15 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) Typ 71 nC —
Total Gate Charge (Qg) Max 110 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 350 W 208 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max 0.45 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D2PAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
حالة RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC (typical)
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (normal level)
Operating Frequency Range (optimized) — <100 kHz
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Qualification — JEDEC standard

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر