IRFZ44NPBF vs IRFR4105TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ44NPBF بواسطة Infineon و IRFR4105TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFZ44NPBF | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 17.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 94 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 62 C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-220AB (3-pin + tab) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (lead-free, PBF suffix) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | — | 27 A |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | — | 45 milliohm |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | — | 68 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| Packaging Type | — | Tape and Reel (TRPBF) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: E_AS rating] |