IRFZ44NPBF vs IRFR4105TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon اور IRFR4105TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NPBF IRFR4105TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (3-pin + tab) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں