IRFZ44NPBF vs IRFR4105TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ44NPBF توسط Infineon و IRFR4105TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ44NPBF IRFR4105TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-220AB (3-pin + tab) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (lead-free, PBF suffix)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت