IRLB8748PBF vs BSC034N06NSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLB8748PBF بواسطة Infineon و BSC034N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLB8748PBF | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 92 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.8 mOhm | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC typical | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 75 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C |
| Package Type | TO-220AB through-hole | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Technology Family | StrongIRFET / HEXFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (optimized for 5V VGS) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Qualification Standard | JEDEC (Industrial market per datasheet) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |