IRLB8748PBF vs IRFB4110PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLB8748PBF بواسطة Infineon و IRFB4110PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLB8748PBF IRFB4110PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $1.55
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
العلبة — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر