IRLB8748PBF vs IRFB4110PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLB8748PBF bằng Infineon và IRFB4110PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLB8748PBF IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF - 30V 92A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRLB8748PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLB8748PBF IRFB4110PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $1,55
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +175 °C
Hộp — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá