IRLB8748PBF vs IRFB4110PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB8748PBF توسط Infineon و IRFB4110PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB8748PBF IRFB4110PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) — $1.55
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) —
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C
بسته‌بندی — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت